半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。