從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。