問(wèn)答題分析產(chǎn)生雜質(zhì)條紋的根本原因，說(shuō)明對(duì)于非平坦界面，由于晶轉(zhuǎn)軸與熱轉(zhuǎn)軸不重合帶來(lái)的雜質(zhì)條紋的形狀。
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2.問(wèn)答題討論CZ法中影響單晶徑向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
3.問(wèn)答題討論CZ法中影響單晶縱向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述CZ法中雜質(zhì)摻入辦法及其選擇依據(jù)。
5.名詞解釋雙氣流MPVPE
最新試題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題