MOS管的伏安特性曲線(xiàn)含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。