MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS管閾值電壓的單位是eV。