MOS管閾值電壓的單位是eV。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。