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半導(dǎo)體材料單項選擇題每日一練(2019.04.24)
來源:考試資料網(wǎng)
1
在光電轉(zhuǎn)換過程中,Si比GaAs量子效率低,因為其()。
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2
重空穴指的是()。
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3
用冷熱探筆法測量()半導(dǎo)體時,冷端帶正電,熱端帶負(fù)電。
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4
下列與硼氧復(fù)合體缺陷無關(guān)的是()。
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5
當(dāng)晶體生長的較快,內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少,晶體的電阻率().
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