半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2019.05.02)

來源:考試資料網(wǎng)
參考答案:

共基極電流增益中的一個系數(shù),體現(xiàn)了中性基區(qū)中載流子的復(fù)合。

參考答案:

閾值反型時氧化層下面的空間電荷區(qū)寬度。

參考答案:

傳統(tǒng)裝配的4個步驟:1.背面減??;2.分片;3.裝架;4.引線鍵合

參考答案:

化學(xué)反應(yīng)控制階段和擴散控制階段

參考答案:去除氮化硅使用熱磷酸進(jìn)行濕法化學(xué)剝離掉的。這種酸槽一般始終維持在160°C左右并對露出的氧化硅具有所希望的高選擇...
參考答案:(1.)產(chǎn)生自由電子的電子源。
(2.)設(shè)置自由電子撞擊靶子,用以產(chǎn)生X射線。
(3.)施加在陽...
8.名詞解釋窄溝道效應(yīng)
參考答案:

溝道寬度變窄后閾值電壓的偏移。

參考答案:在一定溫度下,價帶電子獲得足夠的能量(≥Eg)被激發(fā)到導(dǎo)帶成為導(dǎo)電電子的過程就是本征激發(fā)。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成對的電...