MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。