材料科學(xué)基礎(chǔ)單項(xiàng)選擇題每日一練(2020.06.09)

來源：考試資料網(wǎng)

1 位錯塞積的一個重要效應(yīng)是在它的前端引起（）

2 位錯的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運(yùn)動，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。

3 下列關(guān)于晶界的說法哪種是錯誤的（）。

4 一般實(shí)際金屬結(jié)晶過程是（）

5 對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（）。