氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

關(guān)于溶膠凝膠法，下面哪些說法是正確的？（）

納米微粒具有大比表面，表面原子數(shù)下降、表面能和表面張力隨粒徑下降急劇增加等現(xiàn)象，表現(xiàn)出哪些獨有的特性？（）

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

低維材料主要包括（）

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進行外延生長的方法是（）

完全光滑界面的生長是通過（）而進行的。

凝聚開始的條件主要取決于（）