絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。