半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。