1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。