雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。