柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。