A、粉煤灰
B、生石灰（或電石渣）
C、水泥
D、硅灰
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A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得少于冷凍時(shí)間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得大于冷凍時(shí)間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得少于融化時(shí)間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得大于融化時(shí)間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-18±2）℃和（18±2）℃
B、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-18±2）℃和（5±2）℃
C、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-5±2）℃和（18±2）℃
D、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-20±2）℃和（20±2）℃
A、每次凍融循環(huán)應(yīng)在（2～4）h內(nèi)完成，且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應(yīng)在（2～4）h內(nèi)完成，且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi)，且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi)，且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
A、測溫試件就是凍融試驗(yàn)試件
B、測溫試件應(yīng)采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測溫試件應(yīng)采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應(yīng)高于凍融試驗(yàn)試件
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）