A、一般規(guī)定
B、技術要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
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A、粉煤灰
B、生石灰(或電石渣)
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得少于冷凍時間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得大于冷凍時間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得少于融化時間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得大于融化時間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時間為8h內,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時間為8h內,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
改良西門子法的顯著特點不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()