版圖設(shè)計的基本前提是什么？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

MOS器件存在哪些二階效應？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？