絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。