實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。