單項選擇題直拉單晶中氧含量頭部和尾部相比（）。
A.較高
B.相同
C.較低
D.無法判斷
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1.單項選擇題X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準確度高。（）
A.±10＇
B.±15＇
C.±20＇
D.±30＇
2.單項選擇題下列哪一項不是天然水的三大雜質(zhì)？（）
A.懸浮物質(zhì)
B.揮發(fā)物質(zhì)
C.膠體物質(zhì)
D.溶解物質(zhì)
3.單項選擇題失效表明離子交換樹脂可供交換的（）大為減少。
A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
4.單項選擇題懸浮區(qū)熔法檢驗多晶硅中基磷含量時，采用快速區(qū)熔法的工藝時，第一次區(qū)熔時，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時間（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
5.單項選擇題光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。
A．簡單較大
B．復雜較大
C．簡單較小
D．復雜較小
最新試題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題