單項選擇題下列哪一項不是天然水的三大雜質？（）
A.懸浮物質
B.揮發(fā)物質
C.膠體物質
D.溶解物質
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題失效表明離子交換樹脂可供交換的（）大為減少。
A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
2.單項選擇題懸浮區(qū)熔法檢驗多晶硅中基磷含量時，采用快速區(qū)熔法的工藝時，第一次區(qū)熔時，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時間（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
3.單項選擇題光圖定向法結果直觀，操作（），誤差（）。
A．簡單較大
B．復雜較大
C．簡單較小
D．復雜較小
4.單項選擇題（）是影響硅器件成品率的一個重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。
A.點缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
5.單項選擇題用冷熱探筆法測量（）半導體時，冷端帶正電，熱端帶負電。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
最新試題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題