問(wèn)答題什么是色相色譜法？
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1.單項(xiàng)選擇題直拉單晶中氧含量頭部和尾部相比（）。
A.較高
B.相同
C.較低
D.無(wú)法判斷
2.單項(xiàng)選擇題X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。（）
A.±10＇
B.±15＇
C.±20＇
D.±30＇
3.單項(xiàng)選擇題下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)？（）
A.懸浮物質(zhì)
B.揮發(fā)物質(zhì)
C.膠體物質(zhì)
D.溶解物質(zhì)
4.單項(xiàng)選擇題失效表明離子交換樹(shù)脂可供交換的（）大為減少。
A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
5.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔法檢驗(yàn)多晶硅中基磷含量時(shí)，采用快速區(qū)熔法的工藝時(shí)，第一次區(qū)熔時(shí)，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時(shí)間（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
最新試題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題