P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。