P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。