單項選擇題參雜硼元素的半導(dǎo)體是（）.
A.p型半導(dǎo)體
B.本征半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.pn結(jié)
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1.單項選擇題下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是（）。
A、無色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
2.單項選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是（）。
A.具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大
B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，耐熱沖擊，耐腐蝕
C.不易得，昂貴
D.容易再生
3.單項選擇題下列與硼氧復(fù)合體缺陷無關(guān)的是（）。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
4.單項選擇題盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性，如果晶轉(zhuǎn)過高，會導(dǎo)致固液界面的形狀（）。
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過于平整
D、無變化
5.單項選擇題通過（）改變驅(qū)動力場，借以控制生長系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長工藝中經(jīng)常使用的方法。
A、溫度場
B、磁場
C、重力場
D、電場
最新試題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題