單項(xiàng)選擇題對(duì)稱三相交流電路無(wú)功功率的表達(dá)式sin3UIQ中的電壓和電流是()。
A、線電壓和線電流
B、線電壓和相電流
C、相電壓和線電流
D、相電壓和相電流
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題一般情況下,電力系統(tǒng)的自然功率因數(shù)()。
A、滯后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
2.單項(xiàng)選擇題功率三角形中,功率因數(shù)角所對(duì)的邊是()。
A、視在功率
B、瞬時(shí)功率
C、有功功率
D、無(wú)功功率
3.單項(xiàng)選擇題電阻與電感串聯(lián)的交流電路中,當(dāng)電阻與感抗相等時(shí),則電壓與電流的相位關(guān)系是()。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
4.單項(xiàng)選擇題在純電感交流電路中,電壓保持不變,提高電源頻率,電路中的電流將會(huì)()。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
5.單項(xiàng)選擇題正弦交流電路中,一般電壓表的指示值是()。
A、最大值
B、瞬時(shí)值
C、平均值
D、有效值
最新試題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題