問(wèn)答題由外延生長(zhǎng)的Grove模型得到外延生長(zhǎng)速率與反應(yīng)物濃度成正比，對(duì)于以SiCl4為原料的硅外延為什么隨SiCl4濃度的增加會(huì)出現(xiàn)負(fù)的生長(zhǎng)速率？
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2.問(wèn)答題詳述影響硅外延生長(zhǎng)速率的因素。
3.問(wèn)答題
要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge單晶，所用的雜質(zhì)為Ga-Ge合金，合金中P型Ge濃度為Cm=1017cm-3，原料為純Ge，問(wèn)需要多少克Ga-Ge合金？
最新試題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題