半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。