第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。