雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。