P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。