第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。