半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。