問(wèn)答題什么是錯(cuò)位？
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半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題