MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。