雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。