與IIW試塊相比，CSKⅠA試塊的優(yōu)點(diǎn)之一是可以測(cè)定斜探頭的分辨力。

利用IIW試塊上的φ50孔兩側(cè)面的距離，只能測(cè)定直探頭盲區(qū)的大致范圍。

斜探頭楔塊上部和前部開消聲槽的目的是使聲波反射回晶片處，減少聲能損失。

橫波法主要用于檢測(cè)與檢測(cè)面成一定傾角的缺陷。

軟保護(hù)膜探頭可減少粗糙表面對(duì)探傷的影響。

曲面工件探傷時(shí)，探傷面曲率半徑愈大，耦合效果愈好。

標(biāo)準(zhǔn)試塊的材質(zhì)應(yīng)盡可能與被檢工件相同或相近。

液浸法的優(yōu)點(diǎn)之一是聲耦合穩(wěn)定，檢測(cè)結(jié)果重復(fù)性好。

多探頭法是用兩個(gè)以上的探頭同時(shí)工作的檢測(cè)方法。

工件比較粗糙時(shí)，為防止探頭磨損和保護(hù)晶片，宜選用硬保護(hù)膜。