（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。