半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。