絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。