集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.03.11)
來源：考試資料網(wǎng)2.判斷題PSG高溫回流需要的溫度要比BPSG高。
3.判斷題SiO2中5價的網(wǎng)絡(luò)形成者可使結(jié)構(gòu)強(qiáng)度增加，而3價的網(wǎng)絡(luò)形成者可使結(jié)構(gòu)強(qiáng)度減小。
4.問答題簡述引線框架材料？
參考答案：引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電...
5.名詞解釋IDM
參考答案：
集成器件制造商。
6.填空題自持放電的形式有（）、（）、（）、（）。
參考答案：輝光放電；弧光放電；電暈放電；火花放電
參考答案：集成電路制造工藝中，主要有局部氧化工藝－LOCOS；淺槽隔離技術(shù)－STI兩種隔離工藝。主流深亞微米隔離工藝是：STI。S...
9.名詞解釋平均投影射程Rp
參考答案：
所有入射離子的投影射程的平均值。
