集成電路工藝原理章節(jié)練習(2020.06.02)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：無源電阻通常是合金材料或采用摻雜半導體制作的電阻，而有源電阻則是將晶體管進行適當?shù)倪B接和偏置，利用晶體管的不同的工作區(qū)所... 參考答案：溝道效應：當注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時就發(fā)生了溝道效應。
控制溝道效應的方法：①傾斜硅片... 參考答案：
離子沿溝道前進，核阻擋作用小，因而射程比非晶靶遠得多，這種現(xiàn)象叫溝道效應。
參考答案：不用SF6等F基氣體是因為Cl基氣體刻蝕多晶硅對下層的柵氧化層有較高的選擇比。 參考答案：在外延生長過程中，襯底雜質及其他來源雜質因為熱蒸發(fā)，或者化學反應等非人為地參入外延層，改變了邊界層中的摻雜成分和濃度，從... 參考答案：
擴散開始時，表面放入一定量的雜質源，而在以后的擴散過程中不再有雜質加入，此種擴散稱為有限源擴散。
