集成電路工藝原理章節(jié)練習(2019.05.04)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡述溝道效應的含義及其對離子注入可能造成的影響如何避免？

參考答案：對晶體進行離子注入時，當離子注入的方向與與晶體的某個晶向平行時，一些離子將沿溝道運動，受到的核阻止作用很小，而且溝道中的...

2.問答題簡述多層印制電路基板制造工藝？

參考答案：裁板、內層前處理、壓膜、曝光、DES連線、CCD沖孔、AOI檢驗、VRS確認、棕化、鉚釘、疊板、壓合、后處理、上PIN、...

3.判斷題純凈的半導體是一種有用的半導體。

4.名詞解釋平均投影射程Rp

所有入射離子的投影射程的平均值。

5.名詞解釋退火

參考答案：如果將注有離子的硅片在一定溫度下，經(jīng)過適當時間的熱處理，則硅片中的損傷就會得到大部分消除，少數(shù)載流子的壽命以及遷移率也會...

6.判斷題CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng)，在冷壁式CVD系統(tǒng)中側壁溫度與沉底溫度相等。

7.填空題光刻包括兩種基本的工藝類型：負性光刻和（），兩者的主要區(qū)別是所用光刻膠的種類不同，前者是（），后者是（）。

參考答案：正性光刻；負性光刻膠；正性光刻膠

8.名詞解釋保形覆蓋

所有圖形上淀積的薄膜厚度相同；也稱共性覆蓋。

9.問答題簡述芯片粘結材料？

參考答案：通常采用粘接技術實現(xiàn)管芯與底座的連接的材料。要求機械強度、化學性能穩(wěn)定、導電、導熱、熱匹配、低固化溫度、可操作性。

10.填空題刻蝕剖面指的是（），有兩種基本的刻蝕剖面（）刻蝕剖面和（）刻蝕剖面。

參考答案：被刻蝕圖形的側壁形狀；各向同性；各向異性