MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

什么是MOS器件的體效應？

版圖設計的基本前提是什么？