從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？