問(wèn)答題簡(jiǎn)述鋁互連的優(yōu)缺點(diǎn)。
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述高能離子轟擊的內(nèi)容。
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最新試題
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
題型：?jiǎn)柎痤}
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
題型：?jiǎn)柎痤}
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}