P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。