下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

下列是晶體的是（）。 

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）